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H5N2510DL ， H5N2510DS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-1379 （ Z）
目标指标第一。版
2001年3月
特点
低导通电阻
低驱动电流
高速开关
概要
DPAK-2
4
4
D
1 2
3
H5N2510DS
G
1 2
3
H5N2510DL
S
1.门
2.漏
3.源
4.漏
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