H5N2508DL ， H5N2508DS
电气特性（Ta = 25 ° C）
项
漏源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
I
GSS
250
—
—
3.0
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.48
5.0
450
60
12
19
14
47
11
13
2.5
6
0.9
100
0.38
最大
—
±0.1
1
4.5
0.63
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.4
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
单位
V
A
A
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 3.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 3.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 125 V，I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 35.7
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 7 A
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向
电压
体漏二极管的反向
恢复时间
体漏二极管的反向
恢复电荷
注意：
4.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
3
