MC34071,2,4 ，A MC33071,2,4 ，A
由于与小相关联的输入电容
几何形状的输入设备是相当低的（2.5 pF）的比
典型的JFET输入栅极电容（ 5.0 pF）的，更好的
对于给定的输入源电阻的频率响应可以
使用MC34071系列的放大器来实现。这
性能特征变得明显，例如在速
解决D-对电流电压转换应用
在反馈电阻可以形成输入极与
运算放大器的输入电容。该输入极点创建
一个二阶系统的单极运算放大器，是
因此，有损于它的稳定时间。在这种情况下，降低
输入电容是理想特别是对于较高的值
反馈电阻（低电流DAC ） 。该输入杆
可以通过创建一个反馈零点进行补偿的
电容两端的反馈电阻，如果需要的话，向
减少过冲。对于2.0 kΩ的反馈电阻时，
MC34071系列可在1/2 LSB 8位在1.0到定居
s,
和1/2 LSB内12位在2.2
s
对于10 V的一步。在
一个反相单位增益稳定快速的配置，
对称的摆率
±13
V / μs的。在经典的同相
单位增益配置中，输出正的压摆率是10
用V / s ，和相应的负摆率将超过
正摆率作为输入的下降时间的函数
波形。
由于双极性输入装置的匹配特性
优于JFET的中，低修剪最大偏移
3.0毫伏素和5.0毫伏降级电压可
在经济上提供的高频性能
的特点。这个组合是理想的低成本
精密，高速四通道运算放大器应用。
全NPN输出级，在其基本形式显示
等效电路原理图，提供了独特的优势
更常规的NPN / PNP晶体管AB类
输出级。一个10 kΩ的负载电阻可在1.0 V摆动
正供电轨（VCC） ，并于0.3伏的负的
轨（ VEE ），提供从28.7 Vpp的摆动
±15
V电源。
这种大输出摆幅成为最引人注目的低
电源电压。
正摆动是由饱和电压的限制
电流源晶体管Q7 VBE的NPN ，并拉起
晶体管Q17 ，并与短相关联的电压降
回路电阻， R7 。在负摆幅由限定
下拉晶体管Q16的饱和电压，所述
电压降ILR6 ，并与相关联的电压降
电阻R7，其中IL为所述水槽的负载电流。对于小
重视吸收电流，上述压降可以忽略不计，
使负摆幅电压到内接近
毫伏VEE的。对于大的重视吸收电流（ >5.0毫安）
二极管D3钳位R6上的电压，从而限制了
负摆幅至Q16的饱和电压，再加上
D3正向二极管压降（ ≈VEE +1.0 V） 。因此，对于一个给定的
供电电压，空前的峰 - 峰输出电压
摆动可以由输出摆动所表示
特定连接的阳离子。
如果负载电阻被引用到VCC ，而不是
地面单电源应用中，最大可能
输出摆动就可以实现对于给定的电源电压。为
轻负载电流时，负载电阻将输出拉向
在正摆幅VCC和输出将拉动负载
在负摆幅接近地面的阻力。负载
电阻值应比的要少得多
反馈电阻最大限度地拉起能力。
由于PNP输出射极跟随器晶体管
被淘汰时， MC34071系列提供了20毫安
最小电流吸收能力，典型地为输出电压
的（ VEE + 1.8V ） 。在单电源应用中可以将输出
直接供应或吸收基极电流的共发射极
NPN晶体管快速高电流开关应用。
此外，所有NPN晶体管输出级本身是
速度快，促进了双极型放大器的高增益
带宽积和快速建立能力。该
相关联的高频低输出阻抗（30
典型值
@ 1.0 MHz）的可容性驱动能力从0 pF到
万pF的无振荡的统一闭环增益
配置。 60 °相位裕量和12 dB的增益裕度
以及一般的增益和相位特性是
几乎独立于源/漏极输出摆幅
条件。这使得系统更容易相位补偿，
因为输出摆幅将不会是一个相位的考虑。该
的MC34071系列还高的频率特性
让优秀的高频有源滤波能力，
尤其是低电压单电源应用。
虽然单电源规范中定义的
5.0 V ，这些放大器的功能为3.0V， 25°C
虽然在需要技术的微小变化，如带宽，
压摆率，和DC增益可能会发生。
如果电源该集成电路的反向应用
极性，或者是在一个插座装反了IC ，大
会发生过器件的电流限制了浪涌
可能会导致设备损坏。
特别静电措施是没有必要的，这些
双极型放大器，因为没有MOS晶体管的
模具中。
与大多数高频放大器，适当的铅裙，
元件贴装和PC板布局应
行使，以获得最佳的高频性能。为
例如，长的非屏蔽的输入或输出引线可能会导致
不需要的输入输出耦合。为了保持
与这些关联比较低输入电容
放大器，连接到所述输入端的电阻应
紧邻所述输入引脚，以尽量减少额外
杂散输入电容。这不仅最大限度地减少了输入
极，以获得最佳的频率响应，而且最大限度地减少
多余的“回暖”在这个节点上。电源去耦用
足够的电容紧邻供给针
也很重要，特别是在温度，因为许多
类型的去耦电容具有强大的阻抗
随温度变化。
任一项所述放大器的输出是电流限制，从而
防止直接短路到地。然而，在这
条件下，重要的是不要让该设备超出
最高结温额定值。通常，对于
±15
V
用品，任一输出可连续短路到
地不超过最大额定温度。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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