MC33198
飞思卡尔半导体公司
设备描述
介绍
该MC33198D是高端TMOS驱动器，专用于
汽车应用。它被用于与一个
外部功率MOSFET高侧驱动器应用。该
器件可以驱动和保护了大量的各种MOSFET的。该
设备具有CMOS兼容输入控制，电荷泵
驱动MOSFET的栅极，故障检测电路的基础上
可编程Vds的监测，以检测负载短路。这也
包括一个可编程的定时器功能，以消除
关因浪涌电流不需要开关和状态引脚
该打开和关闭MOSFET的报告中都输出状态
状态。该设备采用很少的外部元件，并提供了一个
经济的解决方案，以大电流高侧开关。这也
具有PWM功能的最高1kHz 。
电源
该MC33198D可以从电池线来提供。这是
设计为在60V的技术，使得它能够承受高达
60V的瞬态脉冲。在关机状态下，有7脚为低电平时，电源
电流高达5毫安，并在操作中，销7高，电流
高达25mA 。该器件具有欠压检测
关闭附近7V 。低于此值的MOSFET导通
关。也有一个25V的过电压检测，其切换
关闭输出引脚4来保护MOSFET和负载时
V
cc
比25V高。
电荷泵
该器件集成了一个自运行电荷泵
内部电容连接的门销4.为防止
振荡，串联电阻可以增加。电荷泵是
能够在25nF电容器在小于1ms充电。这使得
该MC33198D具有快速响应时间和驱动
外部的TMOS门非常迅速，从而使上的快速切换
的负载。该装置具有在内部14V的齐纳二极管
针4和1以夹紧栅 - 源极电压和保护
从破坏MOSFET栅极机器制造业用的。请参阅动态
电气特性表的详细信息。
带隙基准电流
该MC33198D有一个内部带隙参考
电压产生的所有内部阈值。这个乐队
间隙也被用来产生内部参考电流
所必需的设备的正确操作。
这些电流为：
引脚2 ：漏电流（典型值80μA ） 。
引脚4 ：高和低栅极放电电流（典型
100μA和10μA ） 。
引脚8 ：定时器充电电流（ 10μA典型值） 。
所有这些电流由相同的参考推导
电压和内部电阻。其准确度和可变性
在整个温度和电压大约为+ -25 ％
范围内。此外，无源拉下5μA的电流
保持MOSFET的栅极下面0.9V时的
设备没有电源，确保MOSFETremains关闭。
这种被动的下拉电流运行，即使设备V
cc
（引脚5）未通电。
输入电路
该装置的输入是CMOS兼容，并且可以是
直接连接到一个微控制器。输入电流
通过典型的36kΩ的内部下拉电阻来确定。
0.8 V最小滞后出现在此输入。
输出状态
该装置具有一个状态输出（引脚6 ），它具有一个开放的
集热器结构。该引脚用于报告的MOSFET
过载条件下或负载状态时， MOSFET关断。
该器件的引脚1 （源）相比，可编程
阈值在引脚2 ，在这两个打开和关闭MOSFET的状态。
这使得MOSFET检测的Vds过或过载
当MOSFET导通时和负载短路到VBAT条件
监测时， MOSFET处于关断状态。此状态引脚
通常连接到一个上拉电阻和一个微输入
并能驱动高达为1mA。请参阅下面的详细操作。
定时器
定时器（引脚8）一起使用的外部
电容器来创建过负荷检测之间的延迟
与MOSFET的关断。如果过载时，
内部电流源极引脚8将会给电容充电。当
在销8上的电压达到5.5V的阈值时，所述内部
C3的比较器将被触发，输出关断，以
保护MOSFET 。故障和MOSFET关闭
状态被锁存并通过切换输入断复位
而上。过载检测和实际之间的延迟
MOSFET关闭时允许临时过载至极
将阻止系统中可能切断IN-
浪涌电流或瞬态。
MOSFET保护和输出电压监测
该MC33198D具有检测输出的能力
MOSFET的源极电压，并将其与预定
门槛。这个阈值是可编程的使用内部
80μA的基准电流，并连接一个外部电阻
在管脚2的装置，可监测输出负载电压，如
以及保护MOSFET的情况下，过载的。
的过载检测阈值必须调整到
MOSFET本身取决于负载被驱动的
MOSFET的热性能。在实践中，最大
可接受的MOSFET的Vds的应当确定和
基于MOSFET的最大功耗。
此外，销8的电容值应计算
以允许浪涌电流。
源（引脚1 ）和漏极（ 2脚）功能
这两个引脚用来检测MOSFET和负载
条件。销2被连接到内部下拉电流
来源80μA ，并C2比较。外部电阻
连接引脚2和V之间
BAT
产生的电压降
电阻两端。的电压降将MOSFET的
可接受的最大漏源电压和C2的
比较器的阈值。
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