MC33198
这个电阻可以在某些方面，电荷泵减少
输出电压可为MOSFET ，但该设备的意志
仍然提供足够的栅 - 源电压保持在
在良好的条件下MOSFET的导通。该电阻将主要作为
一个附加的放电电流，这会降低
关掉整个应用的时间。请参阅下表2
如下图11显示了4脚电压取决于
在另外的栅极电阻，并且由于关断开关时间
该电阻器。
如果需要非常低的开关时间，该电阻器具有以
是极其低的，导致低的栅极电压不高
够确保适当的MOSFET动作。在这种情况下，一
逻辑电平的MOSFET都可以使用。逻辑电平将与运营
5V的栅极电压具有相同的性能为标准的MOSFET
有一个12V的Vgs 。应注意对最大
栅极到源极的一逻辑电平的MOSFET的电压。另外一个
齐纳可能是必要的，以防止门机器制造业用的损害。
飞思卡尔半导体公司
电池反接
该设备不支持对电池反向操作
Vcc的电压大于 - 0,6V的幅度。在实际应用中，
5脚应该连接进行保护，反向电池
在一系列与V的二极管
BAT
线。
Figure15.
VBAT
VBAT
R
DRN
5
VCC
6状态
门
4
7输入
GND
3
1K
源1
定时器
8
DRN
2
表2
关闭特性的
MOSFET附加栅极电阻
RGATE
没有R
工作电压（V ）
7
10
14
20
68 k
7
10
14
20
39 k
7
10
14
20
15 k
7
10
14
20
VGATE （ V）
16
23
28
34
14
22
27
33
13
21
26
32
11
17,5
24
28,5
花花公子
450
700
750
780
160
飞思卡尔半导体公司...
负载
C
针2，其通常连接到电阻器，能够维持
电池反向操作，提供了DRN电阻
比3,3K高。一个1K的电阻，引脚1也有必要
限制流经MOSFET体的反向电流
二极管。
Figure16.
MC33198 GND断开电路
230
5V
VBAT
VBAT
230
220
100
160
160
150
30
8
设备驱动
电路和
接口
6
5
4
MC33198
IN
7
3
1
负载
50
50
接地模块
C
Q1
R1
50
额外的电路
至今MOSFET
导通的情况下模块的
GND断开
注1 ：
从输入信号（引脚7 ）对下降沿下降沿时间
栅极电压（引脚4 ）测得的电压为5V的阈值。
注2 ：
门放电时间，没有负载开关关断时间。
注3 ：
采用TMOS是摩托罗拉MTP50N06 ，负载10Ω电阻。
R1 = 3,3K
Q1 = 2N2222
手术
当模块GND断开，如果VBAT
的连接仍然存在， MC33198的引脚3变为2/3左右
V的
BAT
如果额外的电路不被插入。
随着R1 / Q1 ， MOSFET的栅极/源极电压短路
一旦销3的电压上升到高于GND电平。
MC33198
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摩托罗拉
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