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比较
表7.单路比较器
IIB
(A)
最大
VIO
(毫伏)
最大
IIO
(A)
最大
AV
(V/V)
典型值
IIO
(MA )
响应
时间
(纳秒)
供应
电压
(V)
温度
范围
(°C)
后缀/
设备
描述
D
i i
双极
LM211
LM311
0.1
0.25
3.0
7.5
0.01
0.05
200 k
8.0
200
+15, –15
随着频闪,会经营
p
从单电源供电
f
I L
l
-25至+85
0至+70
D/751
N/626,
D/751
CMOS
MC14578 1.0 pA的
50
1.1
3.5 14
只需要10
A
单端电源
-30至+70
P/648,
D/751B
表8.双比较器
IIB
(A)
最大
VIO
(毫伏)
最大
IIO
(A)
最大
AV
(V/V)
典型值
IIO
(MA )
响应
时间
(纳秒)
供应
电压
(V)
温度
范围
(°C)
后缀/
设备
描述
D
i i
双极
LM393
LM393A
LM2903
LM2903V
MC3405
0.25
5.0
2.0
20
7.0
7.0
10
0.05
200 k
6.0
1300
1300
1500
1500
1300
±1.5
to
±18
or
3.0 36
±1.5
to
±7.5
or
3.0 15
专为单或分割
电源供电输入
操作时,
常见的方式包括
地(负电源)
该器件包含2个运算
放大器和比较器2中
单一封装
0至+70
0至+70
-40到+105
-40到+125
0至+70
N/626,
D/751
0.5
0.05
200 k
6.0
P/646
CMOS
MC14575
0.001
30
0.0001
2.0 k
3.0
1000
±1.5
to
±7.5
or
3.0 15
该器件包含2个运算
放大器和比较器2中
单一封装
-40至+85
P/648,
D/751B
表9.四路比较器
IIB
(A)
最大
VIO
(毫伏)
最大
IIO
(A)
最大
AV
(V/V)
典型值
IIO
(MA )
响应
时间
(纳秒)
供应
电压
(V)
温度
范围
(°C)
后缀/
设备
描述
D
i i
双极
LM239
LM239A
LM339
LM339A
LM2901
LM2901V
MC3302
0.25
5.0
2.0
5.0
2.0
7.0
7.0
20
0.05
200 k
200 k
200 k
200 k
100 k
100 k
100 k
6.0
1300
±1.5
to
±18
or
3.0 t
3 0 36
专为单或分割
g
g
p
l
ti
i
t
电源供电,输入
共模I L
D包括
地(负电源)
-25至+85
-25至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40到+125
-40至+85
N/646,
D/751A
0.5
0.5
P/646
CMOS
MC14574
0.001
30
0.0001
2.0 k
3.0
1000
±1.5
to
±7.5
or
3.0 15
外部可编程
功耗与1或
2电阻
-40至+85
P/648,
D/751B
摩托罗拉硕士选型指南
4.1–9
模拟和接口集成电路

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