MC34151 ， MC33151
VIN
+
+
RG（上）
100k
0
–
+
C1
RG （关闭）
100k
基地负责人
切除
IB
VIN
在噪声敏感应用中，传导和辐射EMI可以
由上转控制MOSFET的显著降低，
关断时间。
该图腾柱输出可提供负基极电流增强
晶体管关断，以增加电容器C1。
图22.控制MOSFET驱动器
图23.双极晶体管驱动
VCC = 15 V
4.7
+
6
+
–
5.7V
+
2
100k
7
6.8 10
+
1N5819
47
+
+武
≈
2.0 VCC
0.1
+
+
+
+
+
4
100k
330pF
5
6.8
10
+
1N5819
47
=武
≈
= VCC
+
3
10k
输出负载调整
该电容的等效串联电阻限制驱动器输出电流
使用钽时，以1.5 A.一个附加的串联电阻，可能需要或
其他低ESR电容。
IO（毫安）
0
1.0
10
20
30
50
+ VO （ V）
27.7
27.4
26.4
25.5
24.6
22.6
-VO （ V）
–13.3
–12.9
–11.9
–11.2
–10.5
–9.4
图24.双电荷泵转换器
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