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飞思卡尔半导体公司
表1. B类总线电容和电阻表达式
水平
最低
最大
电容
( 3.3× 0.9 )+( 0.47 ×0.9 ) = 3.39 nF的
( 3.3× 1.1 ) + 25 ( 0.47 ×1.1 ) = 16.55 nF的
对地电阻
(1.5 x 0.95) || (10.6 x 0.95) / 25 = 314
(1.5× 1.05 ) || (10.6 X 1.05) = 1.38千欧
应用
B类模块输入
从MCU发送数据(TX )
与远程地偏移
±2.0
伏,但的下角
变速器会
此状态期间进行四舍五入。
接收器输出给单片机接收(Rx )
这是用于一个5.0 V CMOS兼容推挽输出
发送接收到的数据给单片机。它不需要
要使用外部上拉电阻。接收机总是
启用并提请小于65 μA电流从V
BAT
。该
接收阈值取决于的状态
睡觉
引脚。
接收器电路能够在V操作
BAT
电压为
低至4.25 V和仍然能够“唤醒”了的
33390当检测到远程B类的活动。
睡觉
引脚为0 V,发生在消息活动
该总线,接收器通过向经过总线消息
微控制器。在33390不会自动“醒来”
从睡眠状态时,总线活动情况:微控制器
必须告诉它这样做。
静态电气特性表中,最大
电压用于Rx被规定为4.75 V以上的动作范围
-40 ° C至125 ° C的温度和7.0 V至16 V V
BAT
。这
最大接收电压与最小V兼容
DD
微控制器的电压,以防止33390从货源
到单片机的输出电流。
接地开关输出(负载)
一般来说,该输出是饱和的开关接地,其中
拉低总线和负载之间的外部电阻
输出。在活动地面失去了装配, LOAD
输出会偏向自己“关” ,不会泄漏超过100 μA
该引脚输出电流的。
过温关断
如果总线输出变为短路到地的任何
持续时间,过温关断电路“锁断”的
每当管芯温度超过输出晶体管的源
150℃至190℃ 。输出晶体管保持锁存关断,直到
与Tx输入是从逻辑[0]切换到逻辑[1] 。上升
边提供结算功能,只要检测到本地
温度为10℃至15℃以下的闭锁温度跳闸
温度。
整形
波形整形掺入到33390 ,以尽量减少
辐射EMI辐射。
飞思卡尔半导体公司...
与Tx输入的推挽(N沟道/ P沟道场效应晶体管)
缓冲带滞后的抗噪性能的目的。该引脚为
5.0 V CMOS逻辑电平从MCU下一个真正的输入
逻辑协议。逻辑[ 0 ]输入驱动总线输出为0 V(通过
外部的下拉电阻接地的每个节点上),而
逻辑[1]输入产生的总线输出高电压。一
逻辑[ 0 ]输入电平,保证当Tx输入引脚开路
凭借短路的内部40 kΩ的下拉电阻。没有
外部电阻需要用于其操作。
波形整形和4X /循环
该输入是一个tristateable输入: 0 V =正常波形整形,
5.0 V =波形整形是为4X传输禁用,高
阻抗=操作的环回模式。这是一个逻辑电平
使用的输入选择是否整形为B类
输出使能或禁止。逻辑[ 0 ]使波形整形,
而逻辑[ 1 ]禁用整形。在4X模式中,
总线输出的上升时间小于2.0
s
和下降时间小于
比5.0
s
(由于外部RC下拉到地)。在
环回状态中,Tx信号被反馈至Rx
产量
整形
没有
被发送到
BUS 。这种操作模式是对系统的诊断有用
的目的。
B类模块输出
收发器输出( BUS )
这是输出驱动器级提供电流到总线。
它的输出如下waveshaped波形输入。其输出
电压下正常电量限制在6.25 V至8.0 V
条件。有限的水平是由一个内部控制
稳压器/钳位电路。一旦电池电压低于
9.0 V,稳压器/钳位电路饱和,导致公交车
电压跟踪电池电压。 1.5千欧
±5%
电阻(以及任何10.6 k下拉的任何电阻
辅助节点)沉入电流放电的电容器
在高至低跳变。这源输出短
电路保护(60 mA至170毫安)针对短-2.0 V
当短接至V下沉小于1.0毫安
BAT
。如果短
发生时,过温关断电路保护
该装置的源极驱动器。在事件电量耗尽,以
装配时,总线变送器的输出级将被禁用
从总线输出漏电流将不获取或
灌电流超过100 μA 。收发器将操作
33390
10
摩托罗拉模拟
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