MC33364
应用信息
设计实例
根据设计的离线反激式转换器
以下要求：
输出功率：
12 W
输出：
6.0 V @ 2安培
输入电压范围： 90伏 - 270伏交流， 50/60赫兹
对于图12所示的电路中的操作是作为
如下：整流桥D1 - D4和电容器C1
转换为交流线电压到直流电。该电压供应
变压器T1和启动的初级绕组
通过行针电路U1 。主电流回路
由变压器的初级绕组的TMOS关闭
开关Q1和电流检测电阻R7 。电阻器
R5，R6，二极管D6和电容器C4创建一个缓冲
保护从Q1的尖峰钳位网络
初级绕组。由电容器C3中的网络，
二极管D5和电阻器R1提供了一种V
CC
电源电压为
U1从辅助绕组的变压器。该
电阻R1使得V
CC
更稳定的和耐噪声。
电阻R2降低了电流流过内部
过零点的夹紧和保护的齐纳二极管
检测器（ ZCD ） U1内部。 C3是去耦电容器
电源电压。电阻器R3可以提供额外的
偏置电流为光隔离器的晶体管。二极管D8
和电容器C5整流和滤波的输出电压。该
TL431 ，一个可编程参考电压，驱动
光隔离器的初级端提供隔离的反馈
到MC33364 。该电阻分压器由R10和
R11方案TL431的电压。电阻R9和
电容C7和C8提供频率补偿
反馈回路。电阻器R8提供了一个电流限制
在光电耦合器与TL431 。
由于临界导通模式转换器是一个可变的
频系统中， MC33364具有一个内置的特殊块
以减少开关频率在空载条件。这
块被命名为“频率钳位”块。 MC33364
在设计示例中使用具有内部频率钳位
设置为126千赫。然而，可选的版本与禁用
或可变频率钳位可用。频率
钳的工作原理如下：夹紧控制的部分
开关循环时，在MOSFET开关被关断。如果
此“关断时间”（由的复位时间来确定
变压器的铁心）过短，则频率钳
不允许开启再次开关，直到所定义的
频率钳位时间到达（即频率钳位
将插入一个死区时间） 。
还有MC33364的启动的几个优点
电路。启动电路包括特高压
开关，用于控制所述整流线路之间的路径
电压和V
CC
供应电容器充电的
电容器通过当电源被施加到一个受限制的电流
的输入。经过几个开关周期的集成电路供给
从变压器的辅助绕组。 V后
CC
达到欠压锁定阈值时，
启动开关由欠压和关闭
过压控制电路。因为电源可以
被短路的输出，使所述辅助电压要
为零时， MC33364将定期开始其启动块。
这种模式被称为“打嗝方式” 。在这种模式下
芯片的温度上升，但是仍然受保护的
热关断块。在供电正常
操作时，内部高压MOSFET关断，
防止浪费的功率，从而，允许更大
电路效率。
由于桥式整流的情况下，所得到的最小和
最大直流输入电压，可以计算出：
V
V
IN（分钟）
dc
+
2 XV
IN（分钟）
ac
+
2 （ 90伏）
+
127 V
2 （ 270 VAC）
+
382 V
IN （MAX）
dc
+
2 XV
IN （MAX）
ac
+
最大平均输入电流为：
I
in
+
P出来
nV
IN（分钟）
+
12 W
+
0.118 A
0.8(127 V)
其中n =估计电路效率。
TMOS的开关， 600 V雪崩击穿
电压被使用。在开关管的漏极电压由
在输入电压和回扫电压
变压器的初级绕组。有一个铃声上
反激电压的边缘顶级由于泄漏上涨
电感变压器。这个振铃是由夹紧
RCD网络。设计这个钳位波的振幅
50伏以下的TMOS的雪崩击穿
装置。添加另一个50伏，以允许一个安全余量为
MOSFET。然后在回扫电压的适当值可
来计算：
V
FLBK
*
V
*
100 V
+
IN （MAX）
TMOS
600 V
*
382 V
*
100 V
+
118 V
+
V
+
127 V
+
V
由于该值是非常靠近V
IN（分钟）
设置：
V
FLBK
IN（分钟）
V
在V
FLBK
占空比的值由下式给出：
最大
+
FLBK
127 V
+
+
0.5
[127 V
)
127 V]
V
)
V
IN（分钟）
FLBK
最大输入初级峰值电流：
I
PPK
+
2I
in
+
2.0(0.118 A)
+
0.472 A
最大
0.5
选择所需的最低频率f
民
操作
为70千赫。
审查所提供的核心上浆后的信息
芯生产规模的EE芯约20mm为
选择。西门子N67磁性材料被使用，这
对应于飞利浦3C85或TDK PC40材料。
http://onsemi.com
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