MC33363
电源开关被设计用来直接驱动器
变压器和能够切换最多700 V的
和1.0 A.正确的设备电压缓冲和散热
需要进行可靠的操作。
前沿消隐电路被放置在当前
感测的信号路径。该电路可以防止过早复位
的PWM锁存器。过早复位产生的每个
时，将电源开关被驱动到导通状态。它表现为
在整个电流检测电阻的窄电压尖峰，并
是由于MOSFET的栅极到源极电容，
变压器绕组间电容和输出整流器
恢复时间。前沿消隐电路具有
在于它掩盖动态行为的电流信号，直到
电源开关导通转换完成。趋势/涌流
限度的传播延迟时间的典型233纳秒。这一次是
从当出现过电流在电源测量
开关漏电极，以关断的开始。
误差放大器器
一个完全补偿误差放大器进入
反相输入端和输出被提供给初级侧电压
传感，图17 ，设有82个典型的直流电压增益
分贝和1.0兆赫与78度的单位增益带宽
相位裕度，如图5的同相输入端是内部
偏置2.6 V
±3.1%
和不固定的。错误
放大器的输出引脚引出外部环路补偿
并作为用于直接驱动的PWM比较器的装置。
在输出的设计采用有限的灌电流能力
270
A,
允许它可容易地与一个上拉重写
电阻器。这是可取的，因为所需要的应用程序
次级侧电压检测，图20。
应用中，电压反馈输入被连接到
稳压器输出。这通过将禁用误差放大器
其输出到信宿状态，使光耦
晶体管直接控制的PWM比较器。
过压保护
过电压保护比较器包括以
消除失控输出电压的可能性。这
条件可能发生，如果控制环反馈信号路径是
由于破裂而外部组件或连接失败。
比较器通常被用于监控主侧
VCC电压。当2.6 V阈值被超过时，它会
立即关闭电源开关，并保护负载
从严重过压状况。该输入也可以是
从外部驱动电路来抑制变频器运行。
欠压锁定
欠压锁定比较器一直
掺入保证该集成电路具有
足够的电压，以充分发挥作用，输出级之前
被使能。在UVLO比较器监视VCC电压
在引脚3和当它超过14.5伏，复位信号是
从该PWM锁存器，允许操作删除
电源开关。为了防止不稳定的开关作为门槛
划线，提供滞后5.0 V 。
启动控制
具有高电压的内部启动控制电路
增强型MOSFET包括内
MC33363 。该电路允许增加转换器
通过消除外部启动电阻效率，并且其
相关联的功率消耗，在最常用的
脱机转换器，利用控制器的UC3842的类型。
整流的交流线电压被施加到所述启动输入，引脚1 。
这将导致MOSFET的提高和供给内部
偏压以及充电到VCC旁路电容器电流
连接的引脚3接地。当VCC到达
15.2 V UVLO阈值上限，该IC开始
操作和启动的MOSFET被关断。操作
偏压现在来自于所述辅助变压器绕组
和所有的设备电源被有效地转化下来
经整流的AC线路。
启动MOSFET将提供的初始峰电流
20 mA，且图10中，这迅速减小为VCC和
模具温度上升。在稳态电流自限
为8.0 mA的VCC的范围接地短路。启动
的MOSFET的额定功率为最大的400伏与VCC短路到
地面，并且500伏充电的电容器的VCC时
1000
F
或更小。
调节器
低电流6.5 V稳压输出可用于
偏置误差放大器和任何附加的控制系统
电路。其能够达到10mA，并且具有短路
保护。这个输出需要一个外部旁路电容
至少1.0
F
为稳定。
热关断和包装
内部热电路提供保护电源
切换事件的最高结温
超标。当被激活时，通常在155℃时，锁存器是
被迫进入一个“复位”状态，禁用电源开关。该
锁存允许“设置” ，当电源开关温度
低于145C 。这个功能被提供来防止
灾难性故障意外器件过热。这是
不打算被用作取代适当
散热。
的MC33363包含在heatsinkable塑料
在该模具上安装一个双列直插式封装
特殊热片铜合金引线框架。此选项卡包含
四个中心接地引脚是专门设计用于
提高从模具到电路板的热传导。
图15和无标记显示了一个简单而有效的方法
利用印刷电路板介质作为热的
消通过焊接这些引脚的适当区域
铜箔。这允许使用标准的布局和
而有减半的能力，安装实践
结点到空气的热阻。的例子是对一个
上单面电路板对称布局与2盎司
每平方英尺铜。图22显示了一个实际的
例的印刷电路板布局，它利用
铜箔作为散热器。需要注意的是跳投是
为了提高添加到布局从销8到10
铜区的设备，以提高热附近
电导率。该应用电路需要2盎司
铜箔以得到8.0 W连续输出的
功率在室温下。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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