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飞思卡尔半导体公司
表2.串行输入地址和配置位图
SI
注册D7 D6 D5 D4
串行输入数据
D3
D2
D1
D0
表3.过电流低检测水平
SOCL2
(D2)
SOCL1
(D1)
SOCL0
(D0)
过电流检测低
（安培）
STATR
OCR
SOCHLR
CDTOLR
DICR
OSDR
WDR
x
x
x
x
x
0
1
0
1
x
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
0
SOCH
OL DIS
快
SR
0
0
0
0
SOA2
0
SOCL2
CD DIS
CSNS
高
OSD2
0
0
0
SOA1
SOA0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
50
45
40
35
30
25
20
15
CSNS
EN
IN_SPI
SOCL1
OCLT1
在DIS
OSD1
WD1
0
UV_dis
SOCL0
OCLT0
A / O
OSD0
WD0
0
OV_dis
1
1
飞思卡尔半导体公司...
NAR
UOVR
TEST
表4.高过电流检测水平
SOCH （ D3）的
过电流检测高
（安培）
摩托罗拉内部使用（测试）
X =不在乎。
0
1
150
100
器件寄存器寻址
以下部分描述了可能的寄存器
地址及其对设备的操作的影响。
地址X000 -状态寄存器（ STATR ）
该STATR寄存器用来读取设备状态和
而不破坏各种配置寄存器的内容
设备操作或者寄存器内容。寄存器的位D2 ，
D1和D0确定的前8位的SO内容
数据。除了设备的状态，这个特性提供了
能力来读取OCR， SOCHLR ， CDTOLR的内容，
DICR ， OSDR ， WDR ， NAR和UOVR寄存器。 （参照
标题节
串行输出通信（设备状态
返回数据）
开始的第18页）上的
地址X001输出控制寄存器（ OCR ）
该OCR寄存器允许MCU来控制输出
通过SPI 。进入消息位D0 （ IN_SPI ）反映了
高侧输出的所希望的状态：一个逻辑[ 1]使
输出开关和一个逻辑[ 0 ]将其关闭。逻辑[1]
消息位D1使电流检测（ CSNS ）端子。
比特D2和D3必须是逻辑[0]。 D7位是用来喂
如果看门狗启用。
地址X010 -选择过电流高，低注册
（ SOCHLR ）
该SOCHLR寄存器允许MCU配置
输出过电流低和高的检测水平，分别为。
除了保护装置，该慢熔保险丝
仿真功能可以被用来优化负载
要求相匹配的系统特性。比特D2 -D0是
用于过电流低的检测电平设定为八分之一
可能的水平示于
表3中。
位D3是用于设置
概述过流高检测水平两个级别之一
in
表4 。
地址X011 -电流检测时间和负载开路
注册（ CDTOLR ）
该CDTOLR寄存器用于由MCU来确定
量的时间，设备将允许过电流低
输出锁存器之前关闭情况发生。位D1和D0
允许MCU选择定义的四个故障消隐时间1
in
表5 。
需要注意的是这些超时仅适用于
过电流低检测水平。如果所选择的过电流
到达高水位时，设备将在20锁断
s
.
表5.过电流检测低
消隐时间
OCLT [1 ：0]的
定时
00
01
10
11
155毫秒
10毫秒
1.2毫秒
150
s
对位D2的逻辑[ 1 ]禁用过电流低（ CD DIS ）
检测超时功能。对位D3的逻辑[ 1 ]禁用开
负荷（OL）检测功能。
地址X100 -直接输入控制寄存器（ DICR ）
该DICR寄存器所使用的MCU可以启用，禁用，或
配置输出直接在终端控制。逻辑[ 0 ]
对位D1将使由输出直接控制
终奌站。对位D1的逻辑[1]将禁止直接输出
控制权。而解决这个寄存器，如果输入启用
为直接控制，为D0位为逻辑[1 ]将导致一个布尔
而在终端与其相应的信息D0位
寻址寄存器OCR的时候。类似地，一个逻辑[0]的
D0终端将导致IN端子用的布尔或
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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