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飞思卡尔半导体公司
通过一个外部电阻下拉到地。开放
负载由在所述SO数据位为逻辑[1]来表示。
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
VBAT
SG0
1.5 k
100 k
SG0
+
-
要SPI
AMUX
4.0 V REF
该
模拟指令
可用于监控漏极
电压MOSFET的导通状态。通过获取当前2.0毫安
到1.5KΩ的电阻时， SGN终端上的模拟电压
将约为：
V
SGN
= I
SGN
×1.5 kΩ的+ V
DS
作为上的MOSFET的增大漏极上的电压，所以
确实的SGN端子上的电压。随着终端SGN
选作模拟时， MCU可以进行A / D转换。
使用这种方法，用于控制夹紧感性负载
不推荐使用。感性回扫电压大于
V
PWR
可能损坏IC 。
该SP0 ：该器件的SP7终端还可以被用来
从一个模块将信号发送到另一个。操作类似
到MOSFET的栅极的控制。
对于LED应用串联一个电阻与LED是
推荐，但不是必需的。开关对地输入
被推荐用于LED应用。驱动LED的使用
下面的命令：
湿电流定时器使能命令
-disable SGN
润湿当前定时器。
金属命令
-set SGN到16毫安。
从这点出发可以使LED开启和关闭开启使用
该
三态命令：
三态命令
-disable三态的SGN （LED ON） 。
三态命令
-enable三态的SGN （ LED OFF） 。
这些参数很容易通过SPI指令编程
在正常模式下。
负载
SP0
比较
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
SG0
飞思卡尔半导体公司...
16
mA
要SPI
4.0 V +
-
REF
比较
2.0毫安
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
SG13
SG13
4.0 V REF
+
-
要SPI
比较
图12. MOSFET或LED驱动器输出
命令序列（从正常模式输入
三态），需要设置设备驱动MOSFET的
如下：
湿电流定时器使能命令
-disable SPN
润湿当前定时器（参见
表4
第14页） 。
金属命令
- 设置SPN至16 mA或2.0毫安门
驱动电流（参考
表3
第13页） 。
设置命令
-set SPN作为开关对电池（参照
表1
第12页） 。
三态命令
-disable三态的SPN （参见
表5
第14页） 。
后
三态命令
已发送（三态禁用） ，
MOSFET的栅极会被拉到接地。从这个角度
前锋在MOSFET可以通过发送被接通和关断
设置命令：
设置命令
-SPn作为开关对地（MOSFET
上） 。
设置命令
-SPn作为开关到电池（ MOSFET
关）。
MOSFET漏极在关断状态监控提供
负载开路检测功能。这是通过使用一个SGN输入完成
比较器。随着SGN输入三态，负载拉涨
在SGN输入电池。随着负载开路的SGN终端
在模块系统中的多个器件33972
连接电源到33972和MCU的睡眠模式
操作可以以几种方式来完成。
表16
节目
几种系统配置为MCU和电源间
在33972及其对功能的具体要求。
表16.睡眠模式电源供应器
MCU
V
DD
5.0 V
5.0 V
0V
33972
V
DD
5.0 V
0V
5.0 V
评论
所有唤醒条件。 （参考
睡觉
模式，
第18页）
SPI唤醒是不可能的。
休眠模式是不可能的。从目前的
CS
上拉将通过MCU流向V
DD
有
被关闭。的下降沿
CS
将投入
33972在正常模式下。
SPI唤醒是不可能的。
0V
0V
33972
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