MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
I
B
+
V
in
0
BASE
收费
切除
C
1
V
in
R
G（ ON）的
100k
R
G（ OFF）
在噪声敏感应用中，传导和辐射EMI可以
由上转控制MOSFET的显著降低，
关断时间。
该图腾柱输出可提供负基极电流
增强晶体管关断，加上电容C
1
.
图23.控制MOSFET驱动器
V
CC
= 15V
47
+
0.1
6
+
5.7V
2
100k
7
图24.双极晶体管驱动
+
6.8
10
+
100k
1N5819
+ V
O
≈
2 .0V
CC
+
47
5
100k
6.8
10
+
1N5819
47
V
CC
10k
2N3904
100k
330
pF
4
V
O
≈
V
CC
+
3
输出负载调整
该电容的等效串联电阻限制驱动器输出电流为1.5 A.一个
额外的串联电阻可以使用钽电容或其他低ESR电容时是必需的。
I
O
（MA ）
0
1.0
10
20
30
50
+V
O
(V)
27.7
27.4
26.4
25.5
24.6
22.6
V
O
(V)
13.3
12.9
11.9
11.2
10.5
9.4
图25.双电荷泵转换器
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