写周期1
（W控制，见注1和2 ）
MCM6729–10
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
地址有效到写结束，G高
把脉冲宽度
写入脉冲宽度，G高
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
10
0
9
8
9
8
5
0
0
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
—
MCM6729–12
民
12
0
10
9
10
9
6
0
0
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
6
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
5.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.在任何给定的电压和温度， tWLQZ最大值< tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
TWLEH
tWLWH
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
TWHQX
tDVWH
数据有效
tWHDX
tWHAX ALE低
摩托罗拉快速SRAM
MCM6729
5
