写周期2
（ E受控，见注1和2 ）
6728B–8
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
启用以结束写的
数据有效到写结束
数据保持时间
写恢复时间
符号
tAVAV
塔维尔
tAVEH
tELEH ，
TELWH
tDVEH
tEHDX
tEHAX
民
8
0
7
7
4
0
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
6728B–10
民
10
0
8
8
5
0
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
6728B–12
民
12
0
9
9
6
0
0
最大
—
—
—
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.如果E增大或后W变为低电平低电平一致时，输出将保持在高阻抗状态。
5.如果E变为高电平一致或之前W变为高电平时，输出将保持在高阻抗状态。
写周期2
tAVAV
A（地址）
tAVEH
tELEH
E（ CHIP ENABLE ）
塔维尔
W（写使能）
tDVEH
D（ DATA IN ）
数据有效
tEHDX
TELWH
tEHAX
Q（ DATA OUT ）
高-Z
MCM6728B
6
摩托罗拉快速SRAM
