真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
VDD电流
ISB1 ， ISB2
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
产量
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚除外
VDD
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VDD
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 4.6
- 0.5 VDD + 0.5
±
30
0.6
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
采取正常的预防措施，以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这些高阻抗税务局局长
cuits 。
该内存的BiCMOS电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VDD = 3.3V + 10 ％ ， - 5 ％， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VDD
VIH
VIL
民
3.135
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
—
—
最大
3.6
VDD + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = -0.5 V直流; VIL （分钟）= -2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VDD + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VDD + 2 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0 VDD ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VDD ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
MCM6929A
2
摩托罗拉快速SRAM
