MIC2588/MIC2594
麦克雷尔
这样会损坏晶体管。然而，实际的
雪崩电压是未知的;一切可以
保证的是，它会大于在V
BD （ D-
S)
的场效应晶体管。该晶体管的漏极是
连接到MIC2588 / 94的漏极引脚，
将所得的瞬态确实具有足够的
电压和能量，并能损害本，或任何
高电压热插拔控制器。
2.如果负载的旁路电容（例如，在
输入滤波电容器的一组的DC-DC转换器
模块）都在一条船上，从该板
该MIC2589 / MIC2595和MOSFET可以是
不插电，同一类型的感应瞬变
损害可发生于MIC2588 / MIC2594 。
从损坏的保护控制器和功率MOSFET
年龄对这些大型瞬变可以采取的形式
在图7中示出它不是强制性的，这些技术
是用后的应用环境将决定是否适合。
为避免突然卡上负载突降的
控制器，一个2.2μF或更大的电容的漏极引脚
直接从漏极到V
EE
控制器可以用来
作为电荷储存器。可替换地，一个68V ，1W， 5％
齐纳二极管钳位可以安装在一个类似的方式。记
该钳位二极管的阴极连接到漏极引脚
如图7，为了保护热插拔控制器从
大型瞬变卡输入，一个100V钳位二极管
（一个SMAT70A或等同物）都可以使用。在任一情况下，该
引线长度应尽量短并且布局紧凑
防止在所述保护电路不希望的瞬变。
[电路在施工图]
图7.大规模使用瞬态保护
设备周围的MIC2588 / 94
电源母线电感很容易导致局部高
在关断时电压瞬变。对于潜在的
过应力部分在这样的情况下应保持在检查
与合适的输入电容和/或瞬时夹紧
二极管。
功率MOSFET选择
[在建科]
功率MOSFET的工作电压要求
[在建科]
功率MOSFET稳态热问题
[在建科]
功率MOSFET的瞬态热问题
[在建科]
PCB布线注意事项
[在建科]
功率MOSFET和检测电阻供应商
[在建科]
13
M9999-122303
应用信息
四线开尔文检测
因为低的值的通常所需的感
电阻时，必须特别注意使用准确的测量
其两端的电压降。具体地，所述测量技术
跨越每个R NIQUE
SENSE
必须采用4线开尔文sens-
ING 。这简直是确保任何电压的方法
滴在连接到电阻器的电源走线都没有
拾取的信号导体测量的电压
通过检测电阻。
图6显示了如何实现四线开尔文检测。
如该图所示，所有的高电流在电路中（从V
EE
通过研究
SENSE
，然后到输出MOSFET的源极）
流直接通过电源PCB走线和R
SENSE
。该
导致R两端的电压降
SENSE
被采样以这样的
的方式，通过电源迹线的高电流不会
引入的寄生电压降的传感引线。这是
建议您连接热插拔控制器的感
直接导致了检测电阻的金属化接触焊盘。
R
SENSE
金属化
接触片
电源跟踪
从V
EE
PCB走线宽度：
0.03"每安培
使用1盎司铜
信号跟踪
到MIC2588 / 94 V
EE
针
R
SENSE
电源跟踪
到MOSFET的源极
信号跟踪
到MIC2588 / 94检测引脚
注：每个检测微量铅应
平等 - 以获得最佳性能均衡
长度/等于宽高比。
图6. 4线开尔文感的R连接
SENSE
防止电压瞬变
在许多通信应用中，它是对电路很常见
板在遭遇大规模供电电压瞬变
背板环境。由于背板呈现
复阻抗的环境中，这些瞬变可作为
高达2.5倍的稳态水平，或120V在最坏的情况下
的情况。此外，突然甩负荷的任何地方
电路卡可产生非常高的电压尖峰在漏
输出MOSFET的，这反过来，将出现在
该MIC2588 / MIC2594的漏极引脚。在这两种情况下，它是良好的
工程实践，包括防护措施，避免
损坏敏感的集成电路，或从这些热插拔控制器
大规模的瞬变。两种典型的方案中large-
尺度瞬变发生说明如下：
1.无旁路输出电流负载突降（充电
桶或散装）电容V
EE
。例如，
如果L
负载
= 5μH ，V
IN
= 56V和T
关闭
= 0.7μS时，
得到的峰值短路电流之前
MOSFET关闭将达到：
(
55V
×
0.7
s
)
=
7.7A
5
H
如果没有其他路径此电流时要采取
MOSFET关断时，它会雪崩的漏极
MOSFET的源极结。由于总
表示能量是相对于sturdi-小
现代功率MOSFET的湖，这是不可能的
2003年12月
