MMBT2369LT1,
MMBT2369ALT1
MMBT2369ALT1是首选设备
开关晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
15
40
40
4.5
200
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
2
辐射源
集热器
3
http://onsemi.com
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
3
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
SOT–23
CASE 318
类型6
标记DIAGRAMS
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
M1J X
1JA X
MMBT2369LT1
MMBT2369ALT1
M1J ， 1JA =具体设备守则
X
=日期代码
订购信息
设备
MMBT2369LT1
MMBT2369ALT1
包
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第3版
出版订单号：
MMBT2369LT1/D
