位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2946页 > MMBT2222ALT1 > MMBT2222ALT1 PDF资料 > MMBT2222ALT1 PDF资料6第2页

MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 0.1 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , TA = -55°C )
(IC = 150 MADC , VCE = 10伏)(3)
(IC = 150 MADC , VCE = 1.0伏)(3)
(IC = 500 MADC , VCE = 10伏)(3)
集电极 - 发射极饱和电压( 3 )
( IC = 150 MADC , IB = 15 MADC )
的hFE
35
50
75
35
100
50
30
40
VCE ( SAT )
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
VBE ( SAT )
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
—
0.6
—
—
1.3
1.2
2.6
2.0
—
—
—
—
0.4
0.3
1.6
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
—
VDC
—
只有MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
( IC = 500 MADC , IB = 50 MADC )
基地 - 发射极饱和电压( 3 )
( IC = 150 MADC , IB = 15 MADC )
( IC = 500 MADC , IB = 50 MADC )
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积( 4 )
( IC = 20 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
输入电容
( VEB = 0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
输入阻抗
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
小 - 信号电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
集电极基时间常数
( IE = 20 MADC , VCB = 20伏, F = 31.8兆赫)
噪声系数
( IC = 100
m
ADC , VCE = 10 VDC , RS = 1.0千欧, F = 1.0千赫)
MMBT2222
MMBT2222A
缺氧缺血性脑病
MMBT2222A
MMBT2222A
HRE
MMBT2222A
MMBT2222A
的hFE
MMBT2222A
MMBT2222A
HOE
MMBT2222A
MMBT2222A
RB ,抄送
MMBT2222A
NF
MMBT2222A
—
4.0
—
150
dB
5.0
25
35
200
ps
50
75
300
375
—
—
8.0
4.0
—
2.0
0.25
8.0
1.25
X 10– 4
fT
MMBT2222
MMBT2222A
科博
—
CIBO
—
—
30
25
k
8.0
pF
250
300
—
—
pF
兆赫
m
姆欧
开关特性( MMBT2222A只)
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
( VCC = 30 V直流, VBE (关闭) = - 0.5伏直流电,
IC = 150 MADC , IB1 = 15 MADC )
( VCC = 30 V直流, IC = 150 MADC ,
IB1 = IB2 = 15 MADC )
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
10
ns
25
225
ns
60
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
m
S,占空比
2.0%.
4. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
v
v
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据