MMBT3906LT1
首选设备
通用晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
40
5.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2A
=具体设备守则
2A
3
记号
图
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBT3906LT1
MMBT3906LT1G
MMBT3906LT3
MMBT3906LT3G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 第4版
出版订单号：
MMBT3906LT1/D
