ON Semiconductort
达林顿放大器
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
价值
30
30
10
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
MMBTA14LT1是首选设备
3
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
qJA
PD
556
300
2.4
R
qJA
TJ ， TSTG
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
集热器3
BASE
1
发射器2
器件标识
MMBTA13LT1 = 1M ; MMBTA14LT1 = 1N
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
VBE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
V（ BR ） CES
ICBO
IEBO
30
—
—
—
100
100
VDC
NADC
NADC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
MMBTA13LT1/D
