DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
提供8毫米， 7寸/ 3000单位带卷&
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
销1
BASE
（输入）
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
记号
图
2
1
SC75/SOT416
CASE 463
风格1
XX M
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
XX =具体设备守则
M =日期代码
热特性
等级
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗，
FR- 4板（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
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包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
符号
P
D
价值
200
1.6
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
P
D
600
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2005年1月 - 修订版6
出版订单号：
DTC114EET1/D
