E2L0016-17-Y1

半导体

MSM548262

半导体

262,144-Word

8位的多端口DRAM的

这个版本： 1998年1月

MSM548262

上一版本： 1996年12月

描述

该MSM548262是2兆位的CMOS多端口DRAM由8位组成的262144字的

动态RAM ，和一个512字由8位的SAM 。它的RAM和SAM独立运作，

异步。

它支持三种类型的操作：随机存取的RAM端口，高速串行访问

SAM端口和数据的任何选择的行之间在RAM端口双向传送和

SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式中， MSM548262

功能块写入，闪存写入功能的双口RAM和分裂的数据传输能力上

在SAM端口。 SAM端口不需要刷新操作，因为它使用静态CMOS倒装

无人问津。

特点

RAS

只刷新

单电源供电： 5 V

±10%

CAS

前

RAS

刷新

完全兼容TTL

隐藏刷新

多端口企业

串行读/写

RAM ： 256K字

8位

512抽头位置

SAM ： 512字

8位

双向数据传输

快速页模式

分割转让

每位写

蒙面写传输

屏蔽的flash写

刷新： 512次/ 8毫秒

蒙面块写

封装选项：

40引脚400密耳的塑料SOJ

(SOJ40-P-400-1.27)

（产品： MSM548262 - xxJS ）

40分之44引脚400密耳的塑料TSOP （II型） （ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM548262 - xxTS -K ）

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

MSM548262-60

MSM548262-70

MSM548262-80

存取时间

内存

60纳秒

70纳秒

80纳秒

SAM

17纳秒

17纳秒

20纳秒

周期

内存

120纳秒

140纳秒

150纳秒

SAM

22纳秒

22纳秒

25纳秒

功耗

操作

140毫安

130毫安

120毫安

待机

8毫安

8毫安

8毫安

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