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CY62256V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.6V ，CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l
AUTO
t
CDR[6]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
t
RC
条件
[6]
分钟。
1.4
0.1
3
6
50
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1.8V
t
CDR
V
DR
> 1.4V
1.8V
t
R
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
热阻
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
（结到环境）
[6]
四层印刷电路板
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意事项：
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
文件编号： 38-05057牧师* D
第13个5
