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COP8TAB5/TAC5
10.0功能描述
（续）
阻止系统设计人员必须处理正确地从恢复
掉电状态。这是真实的，不管是否有内部
上电复位或外部复位功能使用。
一个掉电条件达到时， V
CC
的设备低于
该装置的最小操作条件。最低瓜尔
及担工作条件的电气规范定义
系统蒸发散。
当使用任一外部复位或上电复位功能恢复
从掉电状态，外部复位，必须应用时
V
CC
低于最小工作条件变为如上所述。
10.6.1晶体振荡器
在晶振模式下，可以通过编程来选择
4选项位为1。长江基建为时钟输入，而G7 / CKO是
时钟发生器的输出到晶体。片上偏置电阻
连接长江基建与CKO之间可以通过亲启用
编程选项字节位3比1的晶体振荡器
选项的选择。电阻器的值在所述范围
0.3M至2.5M （通常为1.0M ） 。
表3
显示元件
所需的值不同标准晶振值。电阻器
当芯片上的偏置电阻器被禁用R2时使用。
图12
示出了晶体振荡器连接图。
表3.晶体振荡器配置，
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 2.5V
R1 （ kΩ）连接R2 （ MΩ ）， C1 （PF ）， C2 （PF ）
0
0
0
5.6
1
1
1
1
18
18
45
100
18
18
30–36
100–156
长江基建频率。 （兆赫）
15
10
4
0.455
数据寄存器和RAM的内容是未知的跟着
降脂片复位。
10.6.2的R / C振荡器
该器件采用的R / C振荡器的两种模式
操作：
1.
1.的R / C与内部研发operaing在一个固定的频率（的R / C
模式）
2. 2的R / C与外部频率控制电阻（R / C + R
模式）。
如果选项字节的振荡器选择位保持
编程（等于零）时，R / C振荡模式
被选择。在的R / C振荡模式，长江基建悬空，
而G7 / CKO可作为通用输入G7
和/或停止控制。了R / C控制振荡器具有导通
贴片电阻和电容的最大R / C振荡频
昆西操作。的最大频率为10MHz
±
20％ -40°C至+ 85°C温度范围。
了R / C振荡器的频率控制电阻
模式（R / C + R） ，可通过编程选项字节选择
第3位为1，选项字节位6和4比0中的R / C + R
振荡模式中，振荡的频率由控制
对面的长江基建引脚连接到电阻上的电压
GND 。 G7 / CKO可作为通用输入G7
和/或停止控制。的最大频率为10MHz
±
20％ -40°C至+ 85°C温度范围。对于较低
频率，外部电阻应连接BE-
吐温CKI和GND 。在长江基建引脚PC板走线长度
应保持尽可能的短。
表4
示出振荡器频率的函数
在长江基建引脚近似的外部性。
图14
显示了R / C振荡器配置。
表4的R / C振荡器配置，
-40 ° C至+ 85°C ，
OSC频率。变异
±
20%
外部电阻
(k)
56
87
200
500
的R / C振荡器频率
（兆赫）
15
10
5
2
INSTR 。周期
(s)
0.65
1.0
2.0
5.0
20091723
图11.复位时序（上电复位有效）
随着V
CC
绑RESET
10.6振荡电路
有五种可用的时钟振荡器选项：水晶OS-
cillator带或不带片上偏置电阻，完全内部的R / C
振荡器，R / C振荡器的频率determina-
化电阻和外部振荡器。该振荡器的特点是
通过编程选项字节，这是summa-选择
聘在
表2中。
表2.振荡器选项
选项
6字节
0
0
0
0
1
选项
4个字节
0
0
1
1
x
选项
BYTE 3
0
1
0
1
x
振荡器选项
片的R / C振荡器
的R / C振荡器与外部电阻
晶体振荡器不带偏见
电阻器
晶体振荡器，偏置电阻
外部振荡器
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