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COP8CBR9/COP8CCR9/COP8CDR9
8.0电气特性
（续）
直流电气特性（ -40℃
≤
T
A
≤
+85C)
参数
输出电流电平
输出
来源
下沉（注7 ）
所有其他
源（弱上拉模式）
源（推挽输出模式）
接收器（推挽输出模式） （注7 ）
三态泄漏
每个引脚允许吸收电流
最大输入电流无闭锁（注5 ）
RAM保持电压，V
R
（ HALT模式）
输入电容
在D2负载电容
在G6电压从启动强制执行
ROM （注8）
G6上升时间从引导ROM强制执行
G6上输入时输入电流
＆ GT ;
V
CC
闪存数据保留
的擦除/写周期闪存号码
V
IN
= 11V, V
CC
= 5.5V
25C
SEE
表13中，典型的闪光
内存耐力
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 3.8V
V
CC
= 2.7V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 3.8V
V
CC
= 2.7V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4.5V, V
OL
= 1.0V
V
CC
= 2.7V, V
OL
= 0.4V
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 3.8V
V
CC
= 2.7V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4.5V, V
OL
= 1.0V
V
CC
= 2.7V, V
OL
= 0.4V
条件
（续）
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
民
典型值
最大
单位
7
4
10
3.5
10
5
7
4
10
3.5
0.5
+0.5
15
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
mA
A
mA
mA
V
7
1000
pF
pF
V
nS
500
100
10
5
A
年
周期
±
200
2.0
G6上升时间必须比慢
100纳秒
2× V
CC
100
V
CC
+ 7
AC电气特性（ -40℃
≤
T
A
≤
+85C)
数据表的最小/最大规格限制由设计，测试或统计分析保证。
参数
指令周期时间（t
C
)
晶振/谐振器
闪存页擦除时间
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
SEE
表13中，典型的
FL灰内存
耐力
0.5
1.5
1
8
2
20
20
150
DC
DC
s
s
ms
ms
兆赫
ns
ns
ns
条件
民
典型值
最大
单位
闪存整体擦除时间
MICROWIRE频率/ PLUS中
从模式
MICROWIRE / PLUS建立时间（T
UWS
)
MICROWIRE / PLUS保持时间（T
UWH
)
MICROWIRE / PLUS输出传输
延迟（T
UPD
)
输入脉冲宽度
中断输入高电平时间
中断输入低电平时间
定时器1输入高电平时间
1
1
1
t
C
t
C
t
C
13
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