UC3842A ， UC2842A 43A ， 43A
图26.电流波形尖峰抑制
VCC
7(12)
+
–
VIN
图27. MOSFET的寄生振荡
VCC
7(12)
+
–
VIN
5.0Vref
+
–
+
–
5.0Vref
+
–
+
–
7(11)
Rg
6(10)
Q1
+
–
+
7(11)
Q1
6(10)
S
–
–
+
R
COMP / LATCH
Q
5(8)
R
3(5)
C
RS
–
+
Q
R
COMP / LATCH
S
5(8)
3(5)
RS
在加入RC滤波器将消除不稳定性所引起的主导
在电流波形前沿尖峰。
串联栅极电阻RG将受潮的高频寄生振荡
所造成的MOSFET的输入电容和任何系列布线电感
在栅极 - 源极电路。
图28.双极晶体管驱动
IB
+
0
–
基地负责人
切除
C1
Q1
6(1)
5(8)
3(5)
RS
图腾柱输出可提供负基极电流增强
晶体管关断，以增加电容器C1。
VIN
图29.隔离式MOSFET驱动器
VCC
7(12)
+
–
隔离
边界
Q1
+
0
–
VGS波形
VIN
5.0Vref
+
–
+
–
+
–
7(11)
6(1)
50 ％的DC
S
Q
–
R
+
COMP / LATCH
5(8)
R
3(5) C
RS
NS
IPK =
Np
图30.锁存关断
图31.误差放大器补偿
从VO
Ri
2(3)
CI
Rf
1(1)
5(9)
2.5V
+
–
EA
+
1.0mA
2R
R
8(14)
R
BIAS
R
OSC
Rd
4(7)
+
–
2(3)
1(1)
MCR
101
2N
3905
2N
3903
+
1.0mA
EA
2R
R
对于任何稳定的电流模式拓扑结构，除了误差放大器补偿电路
升压和反激式转换器工作在连续电感电流。
从VO
5(9)
Rp
Cp
Ri
Rd
CI
2(3)
Rf
1(1)
5(9)
2.5V
+
–
EA
+
1.0mA
2R
R
该MCR101可控硅必须选择小于0.5毫安保持在
TA （分钟） 。简单的双晶体管电路来代替可控硅作为用于
如图所示。所有的电阻10千。
为稳定电流模式升压和反激式误差放大器补偿电路
拓扑连续电感电流工作。
12
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
+
0
–
25 ％的DC
NP
NS
V（引脚1 ） - 1.4
3 RS
