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AT29BV040A
特点
单电源电压范围2.7V至3.6V
单电源进行读写
软件保护程序
快速读取访问时间 - 250纳秒
低功耗
15毫安工作电流
20
A
CMOS待机电流
部门工作计划
单周期重新编程（擦除和编程）
2048个扇区（ 256字节/扇区）
内部地址和数据锁存为256字节
两个16锁定KB引导块
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大。
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
描述
该AT29BV040A是3伏，只在系统可编程闪存和可擦写阅读
只读存储器（ PEROM ） 。它的4兆内存的组织结构524,288字经
8位。与Atmel先进的非易失性EEPROM CMOS工艺制造，
该设备提供的访问时间高达250纳秒，和一个低54毫瓦的功率耗散。
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于20
A.
该
器件的耐用性是这样的，任何扇区通常可以被写入到超过
10000次。编程算法与Atmel的其他设备兼容
2.7伏，只有闪存。
为了让简单的系统内可再编程，该AT29BV040A不需要
高输入电压进行编程。该装置可以用单个2.7V下操作
至3.6V电源供电。读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。
重新编程AT29BV040A的是，扇区的基础上执行; 256个字节的数据
被装载到该设备，然后同时被编程。
期间重新编程周期中，地址位置和256字节的数据被捕获的
在微处理器的速度和内部锁存，从而释放了地址和数据总线
其他操作。下面的程序循环的开始，该设备将automat-
ically擦除扇区，然后用编程的内部控制锁存数据
定时器。一个程序循环结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一旦
已经检测到一个程序循环的末尾，用于读出或程序可以新的接入
开始。
TSOP顶视图
4兆位
（ 512K ×8 ）
单2.7伏
电池电压
CMOS闪存
内存
初步
AT29BV040A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
类型1
I / O0 - I / O7数据输入/输出
NC
无连接
0383B
4-23
