位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第230页 > AT28HC256E-12DM/883 > AT28HC256E-12DM/883 PDF资料 > AT28HC256E-12DM/883 PDF资料2第1页
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 80毫安工作电流
- 3 mA待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
整个军用，商用和工业温度范围
256 （ 32K ×8 ）
高速
并行
EEPROM的
AT28HC256
描述
该AT28HC256是一个高性能的电可擦除可编程
只读存储器。它的内存256K是由8位， 32,768字。 MAN-
制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS技术， AT28HC256
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
TSOP
顶视图
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
LCC ， PLCC
顶视图
A7
A12
A14
DC
VCC
WE
A13
CERDIP PDIP FLATPACK
,
,
顶视图
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PGA
顶视图
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
牧师0007G -九十八分之一十
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
1
