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写操作只允许在内存部分这
不阻止保护。
注意：
当WPEN位被硬件写保护，
不能改回为“0” ，只要WP引脚
保持低电平。
表5 。
WPEN操作
WPEN
0
0
1
1
X
X
WP
X
X
低
低
高
高
文
0
1
0
1
0
1
保护
块
保护
保护
保护
保护
保护
保护
无保护
块
保护
可写
保护
可写
保护
可写
状态
注册
保护
可写
保护
保护
保护
可写
读序列（READ ） ：
读
AT25080 /三百二分之一百六十/通过SO （串行输出）引脚640
需要以下序列。之后的CS线被拉动
低选择一个装置时，读操作码，通过发送
SI线后跟字节地址被读取（ A15- A0，
参考表6）。完成后，在SI线上的任何数据
将被忽略。的数据（ D7-D0 ），在指定的地址
然后移出到SO线。如果只有一个字节是
阅读， CS线应该是驱动高后数据
出来。读出的序列可以因为继续
字节地址自动递增和数据都将
继续被移出。当最高地址
到达时，地址计数器将翻转到最低
地址允许整个存储器来阅读1 CON-
连续的读周期。
写操作（写） ：
为了编程
AT25080 / 160 /六百四十分之三百二十零，两个独立的指令必须是
执行。首先，该装置
必须写入启用
通过
写使能（ WREN ）指令。那么，在写（写）
指令可以被执行。而且，在所述地址
存储器位置（S）以被编程必须是外
由块写保护，选择地址栏的位置
保护级别。在内部写周期，所有的COM
指令都会，除了RDSR指令被忽略。
写指令要求按以下顺序。后
CS线拉低来选择该设备，写
操作码是通过SI线后跟字节发送
地址（ A15 -A0 ）和数据（ D7-D0 ）进行编程
（参见表6 ） 。在CS引脚编程将启动
被拉高。 （低位CS引脚的高转换
必须发生在SCK低电平时间后，立即
时钟在D0 （ LSB）的数据位。
该设备的就绪/忙状态可以被确定
通过启动一个读状态寄存器（ RDSR ）指令
化。如果位0 = 1 ，写周期仍在进行中。如果位0
= 0 ，写周期已经结束。只有读状态
在写出的过程中寄存器指令已启用
编程周期。
该AT25080 / 160 /六百四十○分之三百二十零能够一个32字节页
WRITE操作。被接收的数据的每个字节之后，该
5低位地址位在内部递增
1 ;地址的高位比特会保持恒定。
如果超过32字节的数据被发送，地址
计数器将翻转，先前写入的数据将
覆盖。该AT25080 / 160 /六百四十○分之三百二十零自动为
在完成了返回到写禁止状态
写周期。
注意：
如果设备没有被写使能（ WREN ） ，该
设备将忽略该写指令，并返回到
待机状态下，当CS为高电平。一种新的CS下降沿
边缘被要求重新启动的串行通信。
表6 。
地址键
地址
A
N
别
关注位
AT25080
A
9
- A
0
A
15
- A
10
AT25160
A
10
- A
0
A
15
- A
11
AT25320
A
11
- A
0
A
15
- A
12
AT25640
A
12
- A
0
A
15
- A
13
8
AT25080/160/320/640
