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写操作只允许在内存部分这
不阻止保护。
注意：
当WPEN位被硬件写保护，它可以 -
不被改回“0” ，只要将WP引脚保持
低。
表5 。
WPEN操作
WPEN
0
0
1
1
X
X
WP
X
X
低
低
高
高
文
0
1
0
1
0
1
保护
块
保护
保护
保护
保护
保护
保护
无保护
块
保护
可写
保护
可写
保护
可写
状态
注册
保护
可写
保护
保护
保护
可写
读序列（READ ） ：
读AT25128 / 256
通过SO （串行输出）引脚需要以下
序列。在CS线拉低来选择设备，
在读操作码通过SI线后传输
字节地址被读取（参照表6）。当的COM
完井，就SI线的任何数据都将被忽略。数据
（ D7-D0 ），在指定的地址然后被移出到
SO线。如果只有一个字节被读取，将CS线
数据来源后，应予以驱动为高电平。在读
序列可以继续，因为字节地址是自动
matically递增，并且数据将继续被移
出。当达到最高地址，这个地址
计数器将翻转到最小地址，允许
整个存储器读取在一个连续的读周期。
写操作（写） ：
为了编程
AT25128 / 256 ，两个独立的指令必须执行。
首先，该装置
必须写入启用
通过写
使能（WREN ）指令。那么，在写（写）指令
灰可以被执行。存储器的同时，地址
位置（S）以被编程必须是亲外
按块写入选定tected地址栏的位置
保护级别。在内部写周期，所有的COM
指令都会，除了RDSR指令被忽略。
写指令要求按以下顺序。后
CS线拉低来选择该设备，写
操作码是通过SI线后跟字节发送
地址和数据（ D7-D0 ）来进行编程（参见
表6）。程序将启动CS引脚被拉后
高。 （低位CS引脚的高转换必须发生
在低SCK时钟的时间在后立即
D0 （ LSB ）的数据位。
该设备的就绪/忙状态可以被确定
通过启动一个读状态寄存器（ RDSR ）指令
化。如果位0 = 1 ，写周期仍在进行中。如果位0
= 0 ，写周期已经结束。只有读状态
在写出的过程中寄存器指令已启用
编程周期。
该AT25128 / 256能够在64字节页写的
操作。被接收的数据的每个字节后，五个低
地址位内部递增1 ;该
地址的高序位保持不变。如果有更多的
比被发送64字节的数据，地址计数器
将翻转，先前写入的数据将被覆盖
10 。该AT25128 / 256自动地返回到写
禁止在完成写周期的状态。
注意：
如果设备没有被写使能（ WREN ） ，该
设备将忽略该写指令，并返回到
待机状态下，当CS为高电平。一种新的CS下降沿
边缘被要求重新启动的串行通信。
表6 。
地址键
地址
A
N
无关位
AT25128
A
13
- A
0
A
15 -
A
14
AT25256
A
14
- A
0
A
15
8
AT25128/256
