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RN5VM1
××
C / D
VD2 /过放电检测仪
·该VD2监控V
DD
引脚电压。当V
DD
电压超过过放电检测电压V
DET2
从
一个高值的值不是在V低
DET2
时， VD2能够感知的过放电和外部放电控制
N沟道MOS -FET变为“ OFF”用D
OUT
销可在“L” 。
·重置VD2用D
OUT
引脚电平检测到过放电后为“H”，再次是唯一可能的连接
一个充电器给电池充电。当V
DD
电压保持在过放电检测电压V
DET2
充电电流
在V后可以流过外部放电控制N -MOS -FET的寄生二极管，然后
DD
电压来达到一
价值比V大
DET2
放电过程中会通过“ON”状态放电控制N沟道型MOS - FET的提前。
连接充电器给电池组使得对D
OUT
电平为“H”，在V瞬间时
DD
电压高
呃比V
DET2
.
·当电池电压等于零时，连接充电器来对电池组使系统可允许对充电用
高充电电压比VST， 1.2V最大。
·为过放电检测时的延迟时间是内部固定的。虽然V
DD
电压将下降
到一个较低的水平比V
DET2
如果它的输出延迟时间的时间周期内，VD2不会输出一个用于接通信号
的放电控制N沟道型MOS - FET的“关”。
·检测过放电由VD2后，电源电流将减少到0.3μA典型值。在V
DD
= 2.0V ，进入待机动
通过，只有充电器检测器正在工作。
· D的输出类型
OUT
销具有Ⅴ的“ H”电平的CMOS
DD
和“L”电平Vss的的。
VD3 /过电流检测器，短路保护
·无论是过电流检测器和短路保护电路可以工作时，这两个控制的N沟道型MOS - FET是在“ON”位置
状态。
当V-引脚电压上升到一个值的短路保护电压VSHORT和过电流阈值之间
V
DET3
，过电流检测电路开始工作，并进一步飙升V-引脚电压高，比VSHORT使得短期税务局局长
扣器保护功能。其结果是外部放电控制N -MOS -FET变为“ OFF”用D
OUT
脚是
在“L” 。
·为过电流检测器的输出延迟时间是内部固定的， 13毫秒TYP 。在V
DD
= 3.0V 。快速恢复的V-
从VSHORT和V之间的值引脚的电平
DET3
在延迟时间内保持放电控制用FET滞留
“ON”状态。
当负载短路保护电路被使能时，D
OUT
将是“L”和它的延迟时间是5μs的典型值。
·将V-引脚有一个内置的下拉电阻， TYP.100kΩ ，连接到Vss引脚。
当检测到过电流或短路保护后，除去过量的电流或外部短路税务局局长的原因
扣器，使外部放电控制N -MOS -FET至“ON”状态自动与V-引脚电平被降低
通过内置的VSS级下拉电阻。
·当V
DD
电压比V更高
DET2
在一个时间被检测到过电流时， 5VM不会进入待机
模式，而V
DD
电压比V低
DET2
该5VM进入待机模式。
之后检测短路的5VM不会进入待机模式。
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