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AS7C1026
AS7C31026
读周期（在整个工作范围内）
-10
参数
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
10
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
10
10
5
–
–
6
–
5
–
5
5
–
10
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
-12
民
12
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
12
12
5
–
–
6
–
6
–
6
6
–
12
15
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-15
民
最大
–
15
15
8
–
–
6
–
8
–
6
6
–
15
20
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-20
民
最大
–
20
20
10
–
–
8
–
10
–
8
8
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5
4,5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
SRAM
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
数据
OUT
t
OH
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
