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2004年3月
AS7C1025B
5V 128K X 8 CMOS SRAM （中心电源和地）
特点
工业和商业温度
组织： 131072 ×8位
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 605mW / MAX @ 10纳秒
低功耗：待机
- 55毫瓦/ MAX CMOS
6吨0.18 ü CMOS技术
易于扩展内存通过CE ， OE输入
中心电源和接地
TTL / LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 32引脚， 300万SOJ
- 32引脚， 400万SOJ
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
管脚配置
逻辑框图
32引脚SOJ （ 300万）
32引脚SOJ （ 400万）
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O7
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
行解码器
512 x 256 x 8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
I/O0
WE
OE
CE
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
选购指南
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
5
110
10
-12
12
6
100
10
-15
15
7
90
10
-20
20
8
80
10
单位
ns
ns
mA
mA
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
AS7C1025B
9 P. 1
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