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16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
超前信息
表14 ：F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.3V
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
T
RP1
T
RHR1
T
RY1,2
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
BEF ＃低到有源输出
OE ＃低到有源输出
BEF ＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
RST ＃脉冲宽度
之前RST ＃高读取
RST ＃引脚低电平阅读
0
500
50
20
0
0
20
20
民
70
70
70
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
T14.0 1256
1.该参数仅在初步认证，并在设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.此参数适用于扇区擦除，块擦除和编程操作。此参数不适用于全片擦除。
表15 ：F
LASH
P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH
T
ES
T
BY1,2
T
BR1
T
SE
T
BE
T
SCE
1
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE ＃和BEF ＃设置时间
WE ＃和BEF ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
BEF ＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
BEF ＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
擦除暂停延时
RY / BY ＃延迟时间
巴士＃恢复时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
民
0
40
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
最大
10
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
IDA1
150
20
90
1
25
25
50
ns
s
ns
s
ms
ms
ms
T15.0 1256
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.此参数适用于扇区擦除，块擦除和编程操作。
此参数不适用于全片擦除操作。
2004硅存储技术公司
S71256-00-000
3/04
19
