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16兆位并行的SuperFlash + 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
数据表
表9 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU- READ
1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T9.1 523
T
PU-WRITE1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN
1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T10.0 523
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：F
LASH
R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
结束
T
DR
1
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T11.1 523
I
LTH1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2001硅存储技术公司
S71172-05-000 10/01 523
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