ST62T53B / T60B / T63B ST62E60B
存储器映射
（续）
1.3.7 EEPROM说明
EEPROM存储器位于64字节页
数据空间。这种存储器可以由用户使用
程序用于非易失性数据存储。
描述从00h到3Fh数据空间是分页
在表4中EEPROM的位置被访问二
rectly通过处理这些数据的分页部分
空间。
EEPROM中不需要专用的指令
系统蒸发散的读或写访问。一旦通过所选择的
数据RAM存储寄存器中，活性的EEPROM
网页是由EEPROM控制寄存器控制
之三（ EECTL ） ，这将在下面说明。
在EECTL寄存器的位E20FF之前必须重新设置
任何读或写访问EEPROM 。如果没有
银行已经被选择，或者如果E2OFF设置，考虑进去
塞斯是没有意义的。
程序必须通过设置来启用
E2ENA位EECTL寄存器。
该EECTL寄存器的E2BUSY位被置位时
在EEPROM正在执行编程周期。
任何访问EEPROM时E2BUSY设置
是没有意义的。
提供E2OFF和E2BUSY是复位， EEP-
ROM的位置被读取，就像任何其他某些地区的数据
化，也是在存取时间上。
写入到EEPROM中2可以进行
模式：字节模式（ BMODE ）和并行模式
（ PMODE ） 。在BMODE ，一个字节是在一个访问
同时，尽管在PMODE多达8在相同的字节
行同时编程（与形成机制
quent速度和功率消耗的优点，
后者是在电池特别重要的
供电电路）。
一般注意事项：
数据应被直接写入到预定的AD-
穿着EEPROM空间。没有缓冲MEM-
储器的数据RAM和EEPROM空间的。
当EEPROM处于（ E2BUSY =“1” ）
EECTL不能在写模式下被访问，它是
只能读取E2BUSY的状态。这
意味着，只要对EEPROM繁忙，它是
不可能改变EEPROM的状态
控制寄存器。 EECTL 4和5位被保留
而绝不能设置。
当与EECTL处理护理需要稳压
存器，因为有些位是只写。为此原因，
在EECTL内容不能改变，而EX-
ecuting中断服务程序。
如果这是不可能避免写入到该寄存器中
一个中断服务例程中，对图像
寄存器必须保存在RAM中的位置，
每次程序写入到EECTL就必须
也写入映像寄存器。该映像寄存器
必须被写入到第一个，这样，如果一个中断OC-
这两个指令之间的小人，该EECTL会
不会受到影响。
表4 。行安排EEPROM位置的并行写入
数据空间
地址。
存储体0和1 。
字节
ROW7
ROW6
ROW5
ROW4
ROW3
ROW2
ROW1
ROW0
在每行中多达8字节可以在并行写入模式同时被编程。
可用的64个字节的银行（ 1或2）的数量是设备相关的。
0
1
2
3
4
5
6
7
38h-3Fh
30h-37h
28h-2Fh
20h-27h
18h-1Fh
10h-17h
08h-0Fh
00h-07h
12/75
12
