ST72561
12.7存储器特性
12.7.1 RAM和硬件寄存器
符号
V
RM
参数
数据保持方式
1)
条件
HALT模式（或复位）
民
1.6
典型值
最大
单位
V
12.7.2 FLASH存储器
双电压HDFLASH记忆
符号
参数
f
中央处理器
V
PP
I
PP
t
VPP
t
RET
N
RW
T
PROG
T
抹去
工作频率
编程电压
3)
V
PP
当前
4)5)
内部V
PP
稳定时间
数据保留
写擦除周期
编程或擦除温度
TURE系列
条件
读取模式
写入/擦除模式
4.5V
≤
V
DD
≤
5.5V
阅读（V
PP
=12V)
写/擦除
T
A
=55°C
T
A
=25°C
民
2)
0
1
11.4
典型值
最大
2)
8
8
12.6
200
30
单位
兆赫
V
A
mA
s
岁月
周期
°C
10
20
100
-40
25
85
注意事项：
1.最小V
DD
不会丢失存储在RAM中的数据（ HALT模式或在RESET ）或硬件稳压电源电压
存器（仅在HALT模式） 。在生产中测试。
根据表征结果2.数据，而不是在生产测试。
3. V
PP
必须仅在编程或擦除操作过程中永久的可靠性应用的原因，而不是。
基于仿真结果4.数据，而不是在生产测试。
5.在写入/擦除模式的我
DD
电源电流消耗是相同的，在运行模式中（见
第12.4.1节）
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