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ST72334J / N ， ST72314J / N ， ST72124J
存储器和外设特性
（续）
ADC模数转换器（ 8位）
符号
f
ADC
| TUE |
OE
GE
| DLE |
| ILE |
V
艾因
I
ADC
t
刺
t
负载
t
CONV
R
艾因
R
ADC
参数
模拟控制频率
总非调整误差
4)
偏移误差
增益误差
4)
4)
条件
V
DD
=V
DDA
=5V
民
典型值
1)
最大
4
2)
1
单位
兆赫
微分线性误差
4)
积分非线性误差
4)
转换电压范围
A / D转换电源电流
稳定时间后，使ADC
采样电容加载时间
保持转换时间
外部输入电阻
内部输入电阻
T
A
=25°C,V
DD
=V
DDA
=5V,
3)
f
中央处理器
=8MHz,f
ADC
=4MHz
-0.5
-0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最低位
V
SSA
1
V
DDA
1
V
mA
s
s
1/f
ADC
s
1/f
ADC
f
中央处理器
= 8MHz的，女
ADC
=4MHz
V
DD
=V
DDA
=5V
1
4
2
8
15
2)
1.5
6
k
k
pF
C
样品
采样电容
注意事项：
1)
除非另有说明，典型的数据是基于T
A
= 25° C和V
DD
-V
SS
= 5V 。它们被赋予仅作为设计指南 -
是线，而不是测试。
2)
根据表征结果的数据，而不是在生产测试。
3)
在T测试的生产
A
= 25℃时，其特征在于，在整个温度范围内。
4)
ADC精度与负电流注入：
对于我
INJ-
= 0.8毫安，典型泄漏引起的模具内为1.6μA和对ADC精度的影响是损失1 LSB
每个10KΩ增加外部模拟源阻抗。对ADC的精度这样的效果已经观察
在最坏的情况下注射条件：
- 负注入
- 注入到输入的模拟能力，毗邻能模拟输入
- 在5V V
DD
供给，最坏的情况下。
数字结果ADCDR
255
254
253
1LS B
V
–
V
DDA
S SA
= ----------------------------------------
-
我处理
256
(2)
7
6
5
4
3
2
1
0
V
SSA
1
2
3
4
1 LSB （理想）
V
in
（ LSB
理想
)
5
6
7
253 254 255 256
V
DDA
DLE
OE
ILE
TUE
(3)
(1)
GE
一个实际的转移曲线（1 ）实施例
（ 2 ）理想转换曲线
（3）结束点相关线
TUE =总
非调整误差：最大偏差
之间的实际和理想的转移曲线。
OE =偏移
错误：第一个实际之间的偏差
过渡和所述第一理想的。
GE =增益
错误：最后的理想之间的偏差
过渡和最后的实际的。
DLE =差
线性误差：最大偏差
实际步骤和理想1之间和灰。
ILE =积分
线性误差：最大偏差
任何实际的过渡和结束点之间
相关线。
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