STPS1L30A/U
图。 4-1 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35微米，推荐
键盘布局） （ SMB ） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.0
0.8
0.6
0.4
T
图。 4-2 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35微米，推荐
键盘布局） （ SMA ） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.2
0.0
1E-2
TP （多个）
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
tp
0.2
1E+2
5E+2
0.0
1E-2
TP （多个）
1E-1
1E+0
1E+1
δ
= TP / T
tp
1E+2
5E+2
图。 5 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）。
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
0
5
Tj=25°C
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
500
IR （MA ）
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
F=1MHz
Tj=25°C
100
VR （ V）
10
15
20
25
30
10
1
2
VR （ V）
5
10
20
30
图。 7-1 ：
正向压降与正向电流
租（典型值，高层次） 。
IFM （ A）
10.00
图。 7-2 ：
正向压降与正向电流
租（最大值，低电平） 。
IFM （ A）
Tj=125°C
Tj=100°C
3.0
2.5
Tj=100°C
2.0
Tj=150°C
典型值
Tj=150°C
1.00
Tj=25°C
1.5
Tj=25°C
1.0
0.5
VFM （ V）
0.10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
VFM （ V）
0.0
0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60
3/5
