飞利浦半导体
产品speci fi cation
双可重触发单稳多谐振荡器
与复位
74LV123
特点
优化的低电压应用： 1.0 5.5V
接受V的TTL电平输入
CC
= 2.7V和V
CC
= 3.6V
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
t
0.8V @ V
CC
= 3.3V,
典型的V
OHV
（输出V
OH
冲）
u
2V @ V
CC
= 3.3V,
从高电平或低电平输入直流触发
可再触发的非常长的脉冲，高达100％的占空因数
直接复位终止输出脉冲
在所有输入端施密特触发器动作以外的复位输入端
输出能力：标准（除NR
EXT
/C
EXT
)
I
CC
类别： MSI
T
AMB
= 25°C
T
AMB
= 25°C
描述
该74LV123是低电压硅栅CMOS器件，其引脚与
功能与74HC / HCT123兼容。
该74LV123是双可再触发单稳态多谐振荡器具有
通过三种方法中的输出脉冲宽度的控制。基本的脉冲时间是
通过选择外部电阻（R编程
EXT
）和
电容（C
EXT
） 。它们通常连接，如图
图1.一旦被触发，该基本输出脉冲宽度可以
通过重新触发门控有源低边沿输入扩展
（ NA）或有源高边沿输入（ NB ） 。通过重复该
过程中，输出脉冲周期（ NQ =高， NQ =低）可以是
只要想得到的进行。可选地，输出延迟可以
通过对输入NR一个LOW-边沿终止在任何时间
D
，这
也抑制了触发。图1和图2示出了由脉冲控制
重新触发和早期复位。基本输出脉冲宽度是
由外部定时的值基本上确定
分量R
EXT
和C
EXT
。对于脉冲宽度当C
EXT
<10000pF,
见图5。当C
EXT
u
10,000pF ，典型的输出脉冲
宽度被定义为：吨
W
= 0.45
R
EXT
C
EXT
（典型值），其中
t
W
=在纳秒脉冲宽度;
EXT
=单位为kΩ外部电阻;和
C
EXT
=外部电容单位为pF 。在nA的施密特触发器和行动
NB的投入使得电路包容度很高的输入速度较慢的上升和
下降时间。
快速参考数据
GND = 0V ;吨
AMB
= 25°C ;吨
r
= t
f
v2.5
ns
符号
参数
传播延迟
呐， NB为NQ ， NQ
nR
D
为NQ ， NQ
输入电容
每monost-功耗电容
ABLE
V
CC
= 3.3V, V
I
= GND到V
CC1
条件
C
L
= 15pF的
V
CC
= 3.3V
R
EXT
= 5K
C
EXT
= 0pF
典型
单位
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
25
20
3.5
60
ns
ns
pF
pF
注意事项：
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W)
V
CC2
f
i
)S
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
P
D
= C
PD
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
V
CC2
f
o
） =的输出的总和。
S
(C
L
订购信息
套餐
16引脚塑料DIL
16引脚塑料SO
16引脚塑封SSOP II型
16引脚塑料TSSOP I型
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
北美以外的地区
74LV123
74LV123
74LV123 DB
74LV123 PW
北美
74LV123
74LV123
74LV123 DB
74LV123PW DH
PKG 。 DWG 。 ＃
SOT38-1
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
1998年04月28日
2
853–1911 19290
