飞利浦半导体
产品speci fi cation
9位x 64字FIFO寄存器;三态
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT7030
典型
符号
t
PHL /
t
PLH
参数
传播延迟
先生DIR和DOR
SO ，以Q
n
f
最大
C
I
C
P
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
最大时钟频率
SI和SO
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
21
36
33
3.5
660
26
40
29
3.5
660
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1990年12月
3
