TLC2652 ， TLC2652A ， TLC2652Y
高级LinCMOS 精密斩波稳定
运算放大器
SLOS019C - 1988年9月 - 修订1999年2月
典型特征
相位裕度
vs
自由空气的温度
50°
60°
相位裕度
vs
负载电容
VDD
±
=
±
5 V
RL = 10 kΩ的
TA = 25°C
48°
OM - 相位裕度
φ
m
OM - 相位裕度
φ
m
VDD
±
=
±
5 V
RL = 10 kΩ的
CL = 100 pF的
0
25
50
75
100
125
50°
40°
46°
30°
44°
20°
42°
10°
40°
–75 – 50 – 25
0°
0
200
400
600
800
1000
CL - 负载电容 - pF的
TA - 自由空气的温度 -
°C
图31
图32
在高温和低温下的数据只适用于各种设备的额定工作自由空气的温度范围。
应用信息
电容的选择和布局
这两个重要的因素，在选择外部电容C下考虑
XA
和C
XB
有泄漏，
电介质吸收。这两个因素可能会导致系统性能下降，抵消了性能优势
通过使用TLC2652实现。
从电容漏电降解的温度升高更为明显。低漏电
电容器和支架，建议操作在T
A
= 125°C 。此外，保护带是
建议围绕电容器连接在所述印刷电路板来缓解的问题的两侧
在电路基板上所造成的表面泄漏。
电容器用高介电吸收往往需要几秒钟，收于应用程序的力量，这
直接影响输入偏移电压。在应用中，需要输入失调电压快速建立，它是
建议在高品质的薄膜电容器，例如聚脂薄膜，聚苯乙烯或聚丙烯，可以使用。在其他
的应用程序，然而，陶瓷或其它低档电容器可以是足够的。
不像今天许多菜刀可用， TLC2652设计采用C值的功能
XA
和C
XB
在
0.1范围
F
1
F
不降低到输入端的失调电压或输入噪声电压。这些电容器
应位于尽可能接近到C
XA
和C
XB
销和返回在V
DD –
或C RETURN 。上
许多菜刀，这些电容连接到V
DD –
导致退化的噪声性能。这个问题
在TLC2652被消除。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
21
