TLV226x ， TLV226xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月
应用信息
宏信息
的Microsim使用宏提供的信息推导出
Parts ，
所用的模型生成软件
用的Microsim
PSpice 。
在博伊尔宏（见注5）和支路在图62中生成使用
在T的TLV226x典型的电气和操作特性
A
= 25°C 。使用该信息，输出
下面的关键参数的模拟，可以产生20％的（在大多数情况下）的公差：
D
D
D
D
D
D
最大正输出电压摆幅
最大负输出电压摆幅
压摆率
静态功耗
输入偏置电流
开环电压放大
D
D
D
D
D
D
单位增益频率
共模抑制比
相位裕度
直流输出电阻
AC输出电阻
短路输出电流限制
注5 ： GR博伊尔， BM科恩， DO佩德森和JE所罗门“的数字集成电路运算放大器宏建模”
IEEE
杂志固态电路中，
SC- 9 ， 353 （1974）。
99
VCC +
RSS
RP
2
IN =
DP
IN +
1
11
RD1
+
VAD
4
C1
12
RD2
60
54
VE
.SUBCKT TLV226x 1 2 3 4 5
C1
11
12
5.5E12
C2
6
7
20.00E12
DC
5
53
DX
DE
54
5
DX
DLP
90
91
DX
DLN
92
90
DX
DP
4
3
DX
EGND
99
0
聚（2）（ 3,0） （ 4,0） 0 0.5 0.5
FB
7
99
POLY （ 5 ） VB VC VE VLP
+ VLN 0 8.84E6 -10E6 10E6 10E6 -10E6
GA
6
0
11
12 62.83E6
GCM
0
6
10
99 12.34E9
国际空间站
3
10
DC 11.05E - 6
hlim
90
0
VLIM 1K
J1
11
2
10 JX
J2
12
1
10 JX
R2
6
9
100.0E3
+
OUT
RD1
60
11
15.92E3
RD2
60
12
15.92E3
R01
8
5
135
R02
7
99
135
RP
3
4
15.87E3
RSS
10
99
18.18E6
VAD
60
4
.5
VB
9
0
DC 0
VC
3
53
DC 0.615
VE
54
4
DC 0.615
VLIM
7
8
DC 0
VLP
91
0
DC 1
VLN
0
92
DC 5.1
.MODEL DX D（ IS = 800.0E - 18 ）
.MODEL JX PJF （ IS = 500.0E - 15 BETA = 325E - 6
+ VTO = - 。 08 ）
.ENDS
DE
5
RO1
DC
J1
10
J2
3
9
国际空间站
+
VC
R2
53
6
GCM
+
VB
C2
7
+
GA
VLIM
8
EGND +
FB
RO2
90
+ DLP
91
+
VLP
DLN
92
VLN
+
hlim
VCC =
图62.博伊尔宏模型和子电路
PSpice的
和
零件
是是MicroSim公司的注册商标。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
41
