TPA751
700 - mW的MONO低压音频功率放大器
差分输入
SLOS336C - 2000年12月 - 修订2002年10月
应用信息
输入电容C
I
在典型的应用程序的输入电容C
I
，需要允许放大器偏置的输入信号的
适当的直流电平为最佳操作。在这种情况下，C
I
和R
I
形成一个高通滤波器的转角频率
在式（8）来确定。
-3分贝
fc
+
1
2P R C
I I
(8)
fc
C的值
I
重要的是要考虑的，因为它直接影响了电路的低音（低频）的性能。
考虑这个例子中，R
I
为10kΩ和规范要求平坦的低频响应低至40赫兹。
式（8）被重新配置为等式9 。
1
C
+
I
2P的R F
I
(9)
在本实施例中，C
I
0.40
F,
所以人们可能会选择在0.47的范围内的值
F
1
F.
进一步
考虑到这些电容器是从通过输入网络的输入源的泄露路径（R
I
, C
I
）和
所述反馈电阻器（R
F
）给负载。该漏电流在输入到放大器产生一个直流偏置电压
这降低了有用的扩展空间，特别是在高增益应用。为此低泄漏钽或
陶瓷电容器是最好的选择。当极化电容器时，电容器的正极侧
应面对在大多数应用中，放大器的输入，作为DC电平有被保持在V
DD
/ 2，这是可能的更高
比源的直流电平。它以确认应用程序中的电容器的极性是很重要的。
电源去耦，C
S
该TPA751是一种高性能的CMOS音频放大器，需要去耦，以充足的电力供应
确保输出的总谐波失真（THD）是尽可能的低。电源去耦也可以防止
振荡的放大器和扬声器之间的长引线长度。最佳的去耦实现
通过使用不同类型的针对不同类型的电源引线的噪声的两个电容器。为
更高频率瞬变，尖峰或上线的数字散列，良好的低等效串联电阻（ESR）
陶瓷电容器，通常为0.1
F,
置于尽可能接近到设备V
DD
铅，效果最好。对于过滤
低频率的噪音信号， 10个大的铝电解电容器
F
或更大的附近放置音频
功率放大器建议。
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