1
CLK
写
擦除 - 设置
命令
XXXXXH
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
A–1–A16
（字宽）
A0–A16
（道波字宽）
E
WR
写
擦除确认
命令
BBA
自动擦除
阅读状态
寄存器位
写读 -
array命令
XXXXXH
异步WE
参数测量信息
LBA
BAA
OE
DQ0 - DQ7和
DQ24–DQ31
（字宽）
DQ0–DQ31
（双字宽）
QV
tWHYH3 ， 4
RY / BY
VPPH
VPPL
D0H或0DH
高阻
20H或02H
高阻
有效的SR
FFH
高阻
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
VPP
RP
TMS28F033
4194304-BIT
同步闪存
基本/增强
销套
DCR0
基本针集（ DCR0 = 0 ）
增强的引脚设置（ DCR0 = 1 ）
注意事项： A.
B.
C.
D.
E.
49
OE
模式
DCR1
0
0
WE
模式
DCR2
1
（见注D）
1
（见注D）
DIS / WORD
DCR3
可选
可选
LRV / BAA
DCR4
X
（见注E）
X
（见注E）
BURST
长
DCR25,24
XX
XX
BURST
潜伏期（ X）
DCR29,28
XX
XX
BURST
潜伏期（ Y）
DCR30
X
X
X16 WRITE
选项
DCR31
X
X
SMJS833 - 1997年11月
X是不在乎。 BBA是该块的基地址。
见表8 DCR设置说明。
对于异步擦除，地址和命令被锁存，在WE的上升沿。
对于异步擦除周期时序（ DCR2 = 1），参见图25 。
为LRV用法（ DCR4 = 0），见图8 ;和DCR4 = 1，见图9 。
图26.异步擦除周期时序设备配置寄存器设置
超前信息
