2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
24
22
20
VCC = 100V
250V
400V
马克斯。
18
16
VGS （ TH） [V]
4.5
VGS电压[V]的
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
典型值。
14
12
10
8
6
4
2
0
分钟。
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10n
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
1n
西塞
10
C [ F]
100p
科斯
IF [ A]
1
3
10p
CRSS
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
300
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 8A
250
10
2
tr
200
TD （关闭）
T [ NS ]
TD （上）
10
1
EAV [兆焦耳]
150
tf
100
50
10
0
0
10
0
10
1
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[C]
°
3
