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2SK3080
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-635A （ Z）
第2位。版
1998年5月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 20毫欧（典型值） 。 （V
GS
= 10V ，我
D
= 15 A)
4V栅极驱动装置。
高速开关
概要
TO–220AB
D
G
1
2
S
3
1.门
2.漏（法兰）
3.源
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