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2SK2978
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2SK2978
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-659B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.09Ω （典型值） 。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 1.5 A)
低驱动电流
高速开关
2.5V栅极驱动装置。
概要
UPAK
3
D
2
1
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
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