VZ系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ？
项
符号
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
g
fs
Forward Tran½conductance
Static Drain-Source On-½tate Resistance
R
DS （ ON）
V
TH
栅极阈值电压
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
总栅极电荷
Q
g
输入电容
C
国际空间站
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
打开-O FF时间
t
关闭
条件
2SK2560 （ F20F20VZ ）
分钟。
200
典型值。
马克斯。
250
±0.1
7
2.0
14
0.1
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
=
10A,
V
DS
=
10V
I
D
= 10A ，V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
=
10A,
V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
=
150V,
V
GS
=
10V,
I
D
= 20A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V ， F =
1MH
Z
I
D
=
10A,
R
L
=
10Ω,
V
GS
=
10V
55
1800
165
620
100
280
0.18
4.0
1.5
2.08
℃/Ｗ
nC
pF
200
560
ns
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